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宽带隙半导体，室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光股份和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

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